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| 国外集成电路命名方法(电路系列缩写符号,分18页介绍了国外集成电路命名方法) |
| 器件型号举例说明 ( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）) |
AM |
29L509 |
P |
C |
B |
AMD首标 |
器件编号 |
封装形式 |
温度范围 |
分类 |
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"L"：低功耗； |
D：铜焊双列直插 |
C：商用温度， |
没有标志的 |
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"S"：肖特基； |
（多层陶瓷）； |
（0-70）℃或 |
为标准加工 |
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"LS"：低功耗肖特基； |
L：无引线芯片载体： |
（0-75）℃； |
产品，标有 |
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21：MOS存储器； |
P：塑料双列直插； |
M：军用温度， |
"B"的为已 |
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25：中规范（MSI）； |
E：扁平封装（陶瓷扁平）； |
（-55-125）℃； |
老化产品。 |
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26：计算机接口； |
X：管芯； |
H：商用， |
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27：双极存储器或EPROM ； |
A：塑料球栅阵列； |
（0-110）℃； |
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28：MOS存储器理； |
B：塑料芯片载体 |
I：工业用， |
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29：双极微处理器； |
C、D：密封双列； |
（-40～85 ）℃； |
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54/74：同25； |
E：薄的小引线封装； |
N：工业用， |
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60、61、66：模拟，双极； |
G：陶瓷针栅陈列； |
（-25～85）℃； |
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79：电信； |
Z、Y、U、K、H：塑料 |
K：特殊军用， |
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80：MOS微处理器； |
四面引线扁平； |
（-30～125）℃； |
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81、82：MOS和双极处围电路； |
J：塑料芯片载体（PLCC）； |
L：限制军用， |
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90：MOS； |
L：陶瓷芯片载体（LCC）； |
（-55-85）℃＜ |
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91：MOS RAM： |
V、M：薄的四面 |
125℃。 |
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92：MOS； |
引线扁平； |
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93：双极逻辑存储器 |
P、R：塑料双列； |
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94：MOS； |
S：塑料小引线封装； |
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95：MOS外围电路； |
W：晶片； |
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1004：ECL存储器； |
也用别的厂家的符号： |
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104：ECL存储器； |
P：塑料双列； |
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PAL：可编程逻辑陈列； |
NS、N：塑料双列； |
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98：EEPROM； |
JS、J：密封双列； |
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99：CMOS存储器。 |
W：扁平； |
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R：陶瓷芯片载体； |
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A：陶瓷针栅陈列； |
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NG：塑料四面引线扁平； |
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Q、QS：陶瓷双列。 |
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| 通用器件型号举例说明(缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）) |
ADC |
803 |
X |
X |
X |
X |
| 首标 |
器件编号 |
通用资料 |
温度范围 |
封装 |
筛选水平 |
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A：:改进参数性能； |
J、K、L： |
M：铜焊的金属壳封装； |
Q：高可 |
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L：自销型； |
（0-70）℃； |
L：陶瓷芯片载体； |
靠产品； |
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Z：+ 12V电源工作； |
A、B、C： |
N：塑料芯片载体； |
/QM： |
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HT：宽温度范围。 |
（-25-85）℃； |
P：塑封（双列）； |
MIL |
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R、S、T、V： |
H：铜焊的陶瓷封装 |
STD |
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（-55-125）℃。 |
（双列）； |
883产品。 |
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G：普通陶瓷（双列）； |
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U：小引线封装。 |
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